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非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴散長度的方法。其原理是：用能量大于半導體材料禁帶寬...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點方...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導體的長度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計算方法霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數(shù)，其大小與材料的電...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進行測量和自動成圖。該系統(tǒng)采用汞探針設(shè)計，...

電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚...

我司憑借先進的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導體專用設(shè)備提供商，主營非接觸方阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率...

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，具有快速，無損，準確等優(yōu)勢，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)...