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  • 晶圓厚度TTV測試儀
    晶圓厚度TTV測試儀

    在半導體制造領(lǐng)域,晶圓的厚度測量是至關(guān)重要的一環(huán),它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測量的需求,我們研發(fā)了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設(shè)備,專門用于晶圓厚度的精確測量

  • 金剛石厚度TTV測試儀
    金剛石厚度TTV測試儀

    金剛石膜檢測與測試報告 檢測項目 金剛石膜的檢測項目主要包括以下幾個方面:膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

  • 硅片厚度TTV測試儀
    硅片厚度TTV測試儀

    硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學測量技術(shù),如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中,反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計算硅片厚度,而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來測量厚...

  • 非接觸半絕緣方阻測試儀
    非接觸半絕緣方阻測試儀

    非接觸式半絕緣方阻測量技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導電性測試、薄膜導電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優(yōu)點。

  • 非接觸半絕緣電阻率測試儀
    非接觸半絕緣電阻率測試儀

    半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間,是描述半絕緣材料導電性能的關(guān)鍵參數(shù)。這種材料在電子工業(yè)中應(yīng)用廣泛,特別是在制造半導體器件、絕緣層和光電材料等方面。非接觸半絕緣電阻率可測試該產(chǎn)...

  • 玻璃電阻率方阻測試
    玻璃電阻率方阻測試

    玻璃領(lǐng)域 半導體玻璃的電阻率及某些物理化學性質(zhì)在光、電、熱等作用下可發(fā)生顯著改變,從而賦予其的性能。半導體玻璃已廣泛應(yīng)用于光電倍增器、存儲器件、電子開關(guān)等領(lǐng)域。

  • 非接觸式晶錠電阻率測試儀
    非接觸式晶錠電阻率測試儀

    晶錠與晶片在半導體行業(yè)中扮演著不同的角色,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在形態(tài)、制備方式及應(yīng)用領(lǐng)域上。首先,晶錠,或稱為單晶硅棒,是一種長條狀的半導體材料,通常采用特定方法制備,直徑多為200mm或300mm...

  • 光伏電池片方阻測試
    光伏電池片方阻測試

    隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提升已成為行業(yè)關(guān)注的焦點。在光伏電池片的生產(chǎn)中,方阻檢測是確保電池片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)的方阻檢測方法大多依賴接觸式測試,這不僅容易損傷材料,還難...

  • SPV表面光電壓方阻測試
    SPV表面光電壓方阻測試

    主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻),本儀器為非接觸,非損傷測試,具有測試速度快,重復性佳,測試敏感性高,可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點。

  • 非接觸霍爾遷移率
    非接觸霍爾遷移率

    在霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公司特點非接觸霍爾遷移率(Hall mob...

  • 微波法霍爾遷移率
    微波法霍爾遷移率

    在霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

  • 微波法少子壽命
    微波法少子壽命

    即少數(shù)載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產(chǎn)生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子(因為只有少數(shù)載流子才能注入到半導體內(nèi)部、并積...

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