外延電阻率方阻測(cè)試儀

外延電阻率方阻測(cè)試儀：外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點(diǎn)埋層）；然后在襯底上生長(zhǎng)一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來(lái)在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。最后基本形成縱向NPN管結(jié)構(gòu)：外延層在其中是集電區(qū)，外延上面有基區(qū)和發(fā)射區(qū)。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產(chǎn)，所以他們買別人做好外延工藝的外延片來(lái)接著做后續(xù)工藝。

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更新時(shí)間：2025-02-18
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外延電阻率方阻測(cè)試儀相關(guān)介紹：

外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點(diǎn)埋層）；然后在襯底上生長(zhǎng)一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來(lái)在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。最后基本形成縱向NPN管結(jié)構(gòu)：外延層在其中是集電區(qū)，外延上面有基區(qū)和發(fā)射區(qū)。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產(chǎn)，所以他們買別人做好外延工藝的外延片來(lái)接著做后續(xù)工藝。

半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm（150mm直徑片）和725μm（200mm片）。

外延沉積既可（同時(shí)）一次加工多片，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出的外延層（厚度、電阻率均勻性好、缺陷少）；這種外延片用于150mm“前沿"產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。

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