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非接觸方阻測(cè)試儀在半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)中的作用
無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面?
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襯底電阻率方阻測(cè)試儀:襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用來(lái)支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)等,而化學(xué)性質(zhì)則涵蓋其純度、表面化學(xué)穩(wěn)定性、化學(xué)反應(yīng)活性等。常見(jiàn)的襯底材料如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等,因其物理與化學(xué)性質(zhì)而被廣泛應(yīng)用。
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襯底電阻率方阻測(cè)試儀相關(guān)介紹:
襯底的定義
1.襯底的物理與化學(xué)性質(zhì)
襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用來(lái)支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)等,而化學(xué)性質(zhì)則涵蓋其純度、表面化學(xué)穩(wěn)定性、化學(xué)反應(yīng)活性等。常見(jiàn)的襯底材料如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等,因其物理與化學(xué)性質(zhì)而被廣泛應(yīng)用。
2.襯底的作用與功能
在半導(dǎo)體制造中,襯底起到至關(guān)重要的支撐作用。首先,襯底為后續(xù)的材料沉積和器件制作提供了一個(gè)平整且穩(wěn)定的基礎(chǔ),其次,襯底材料的選擇直接影響器件的性能和制造成本。此外,襯底還需具備良好的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率,以支持器件在高功率和高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
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