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硅片電阻率測(cè)試儀的準(zhǔn)備事項(xiàng)設(shè)置的步驟
無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面?
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非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出涂層以紅外熱輻射的形式被探測(cè)器接收。涂層越厚,該過程花費(fèi)的時(shí)間越長(zhǎng)
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非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出涂層以紅外熱輻射的形式被探測(cè)器接收。涂層越厚,該過程花費(fèi)的時(shí)間越長(zhǎng)。因此利用紅外探測(cè)器探測(cè)紅外熱輻射(相移)的信號(hào)就可以獲得涂層的厚度信息。由于表征涂層厚度(或其他參數(shù))的不是信號(hào)幅度而是信號(hào)相位,即輻射熱波相對(duì)于激發(fā)光波的時(shí)間偏移,因此這種測(cè)量方式對(duì)測(cè)量距離或探測(cè)角度的變化不敏感。這樣,可以非常高精度地測(cè)量涂層厚度和面密度。光熱紅外法測(cè)量的精度在亞微米范圍內(nèi),通常比目前工業(yè)上常用的測(cè)量方式要精確得多。能夠測(cè)量直徑為50mm、75mm、100mm、150mm、200mm和300mm的晶圓。其厚度范圍根據(jù)晶圓直徑的不同而有所差異。例如,對(duì)于無(wú)框晶圓,其測(cè)量范圍可能是200\~1000μm或300\~1800μm;而對(duì)于鑲框晶圓,測(cè)量范圍可能達(dá)到0\~1100μm。
測(cè)量精度方面的厚度精度可以達(dá)到±0.5μm,分辨率高達(dá)10 nm,動(dòng)態(tài)范圍達(dá)800μm。這樣的精度保證了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性,滿足了半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高精度測(cè)量的需求。
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